半導体リードフレーム用銅合金

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-352886
公開番号（公開出願番号）：特開2000-178670
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2000年06月27日
要約：

【要約】【課題】強度、導電性、曲げ加工性、打抜プレス加工性などに優れ、さらに応力緩和の軟化特性が小さく、かつ応力腐食割れの感受性が低く、耐熱性を向上させた半導体リードフレーム用銅合金を提供すること。【解決手段】 Znを5wt%以上で35wt%未満、Snを0.1〜3wt%、Feおよび/またはNiとPの合計を0.05〜2wt%含み、残部Cuと不可避的不純物からなる銅合金であって、Feおよび/またはNiとPの原子量比 (Fe/P、Ni/P、(Fe+Ni)/P)が0.2〜3であり、粒径が35μm以下に制御され、0.2μm未満のFe-P化合物が均一に分散していることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

Znを5wt以上で35wt%未満、Snを0.1〜3wt%、FeとPの合計を0.05〜2wt%含み、残部Cuと不可避的不純物からなる銅合金であって、FeとPの原子量比(Fe/P)が0.2〜3であり、粒径が35μm以下に制御され、0.2μm未満のFe-P化合物が均一に分散していることを特徴とする半導体リードフレーム用銅合金。

IPC (7件)：

C22C 9/04 , C22F 1/08 , H01L 23/48 , C22F 1/00 602 , C22F 1/00 661 , C22F 1/00 685 , C22F 1/00 686

FI (7件)：

C22C 9/04 , C22F 1/08 B , H01L 23/48 V , C22F 1/00 602 , C22F 1/00 661 A , C22F 1/00 685 Z , C22F 1/00 686 Z

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭59-031839
電気部品用銅合金
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-339238 出願人：三井金属鉱業株式会社
銅ベース合金およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-300478 出願人：ウォータバリーローリングミルズ,インコーポレイテッド

全件表示

前のページに戻る