特許
J-GLOBAL ID：200903091129058693
光学薄膜の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 俊哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-251529
公開番号（公開出願番号）：特開2007-063623
出願日： 2005年08月31日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 反応性スパッタリングにおける遷移状態を長時間安定に維持できる成膜方法を提供する。【解決手段】 マグネトロンスパッタリング装置において、真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給し、放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±10%以内で行い、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行う。また、放電電力、または放電アドミッタンスを長時間安定化させるために、ターゲット表面の最大磁場強度を0.03テスラ以上、0.1テスラ以下とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
真空チャンバー内に設置されたターゲットと、該ターゲットに電力を供給するためのスパッタ電源と、該真空チャンバー内に不活性ガスと反応性ガスをそれぞれ所望の流量で供給する機構と、を備えたマグネトロンスパッタリング装置を用いた光学薄膜の製造方法において、
放電電力、または放電アドミッタンスの時間変動を±10%以内に制御し、且つ該スパッタ電源の電圧を制御して遷移スパッタを行うことを特徴とする光学薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (18件)：
2H048GA33
, 2H048GA60
, 2H048GA61
, 4K029AA09
, 4K029AA24
, 4K029BA46
, 4K029BC07
, 4K029CA06
, 4K029DC03
, 4K029DC16
, 4K029DC33
, 4K029DC35
, 4K029DC39
, 4K029EA00
, 4K029EA03
, 4K029EA09
, 4K029KA02
, 4K029KA09
