特許

J-GLOBAL ID：200903091143156860

CVDにより造られた単結晶ダイヤモンド

発明者： スカースブルック、ジェフリー、アラン ,  マルティノー、フィリップ、モーリス ,  コリンズ、ジョン、ロイド ,  サスマン、リカルド、サイモン ,  ドルン、ボルベル、シュザンヌ、シャルロッテ ,  ホワイトヘッド、アンドリュー、ジョン ,  トウィッチェン、ダニエル、ジェイムズ
出願人/特許権者： エレメント シックス (プロプライエタリイ)リミテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  池田 幸弘 ,  長沼 暉夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-510741
公開番号（公開出願番号）：特表2004-503460
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

CVDよにり造られ、そしてダイヤモンドを電子的応用のために適当なものとする、1つ又はそれ以上の電子特性を有する単結晶ダイヤモンド。その単結晶CVDダイヤモンドを形成する方法もまた提供される。

請求項（抜粋）：

CVDにより造られ、そして下記の特性の少なくとも1つを有する単結晶ダイヤモンド: (i)オフ状態で、300Kで測定された、50V/μmの印加電場で、1x1012Ωcmより大きな抵抗率R1; (ii)オフ状態で高い破壊電圧、及びオン状態で長いキャリヤー寿命を有する高い電流; (iii)300Kで測定された、2400cm2V-1s-1より大きな電子移動度(μe); (iv)300Kで測定された、2100cm2V-1s-1より大きな正孔移動度(μh);及び (v)1V/μmの印加電場で300Kで測定された、150μmより大きな高い収集距離。

IPC (3件)：

C30B29/04 ,  C23C16/27 ,  H01L21/205

FI (4件)：

C30B29/04 W ,  C30B29/04 A ,  C23C16/27 ,  H01L21/205

Fターム (28件)：

4G077AA03 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077HA05 ,  4G077TK10 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA28 ,  4K030BB02 ,  4K030CA01 ,  4K030DA03 ,  4K030DA04 ,  4K030FA01 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB07 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC16 ,  5F045BB12 ,  5F045BB14 ,  5F045BB16 ,  5F045HA03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子工学用途のためダイヤモンド上に設置された密着性のニッケル及びクロム含有合金被膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-145038   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
• 大サイズ単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-156171   出願人：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド