特許
J-GLOBAL ID：200903091148495115

回路基板の製造方法

発明者：
都外川 真志

都外川 真志 について

, 
二宮 泰徳

二宮 泰徳 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 矢作 和行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-236864
公開番号（公開出願番号）：特開2007-053212
出願日： 2005年08月17日
公開日（公表日）： 2007年03月01日
要約：
【課題】絶縁基材上に供給された導電ペーストを焼成して回路導体とする回路基板の製造方法であって、配線パターンの抵抗値が低く、特に、多層に形成された配線パターン31を有する多層回路基板100であっても安価に製造することのできる回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基材21上に供給された導電ペースト10を焼成して回路導体とする回路基板の製造方法であって、導電ペースト10には、金属材料でナノメータオーダーの粒径を持つ金属ナノ粒子1aが含まれてなり、アルコールを含む低酸素雰囲気下で導電ペースト10を焼成することにより、金属ナノ粒子1aを焼結させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
絶縁基材上に供給された導電ペーストを焼成して回路導体とする回路基板の製造方法であって、 前記導電ペーストには、金属材料でナノメータオーダーの粒径を持つ金属ナノ粒子が含まれてなり、 アルコールを含む低酸素雰囲気下で前記導電ペーストを焼成することにより、前記金属ナノ粒子を焼結させることを特徴とする回路基板の製造方法。
IPC (4件)：
H05K 3/12 ,  H05K 3/46 ,  H05K 1/09 ,  H01B 13/00
FI (5件)：
H05K3/12 610B ,  H05K3/46 S ,  H05K3/46 G ,  H05K1/09 A ,  H01B13/00 503D
Fターム (45件)：
4E351AA02 ,  4E351AA16 ,  4E351BB01 ,  4E351BB31 ,  4E351CC11 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD52 ,  4E351EE02 ,  4E351EE03 ,  4E351EE24 ,  4E351EE27 ,  4E351GG06 ,  5E343AA02 ,  5E343AA12 ,  5E343AA33 ,  5E343BB24 ,  5E343BB25 ,  5E343BB72 ,  5E343BB75 ,  5E343BB78 ,  5E343DD03 ,  5E343GG13 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA22 ,  5E346AA32 ,  5E346AA43 ,  5E346CC02 ,  5E346CC08 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD13 ,  5E346DD34 ,  5E346EE06 ,  5E346EE07 ,  5E346EE09 ,  5E346EE42 ,  5E346FF18 ,  5E346GG15 ,  5E346GG19 ,  5E346GG28 ,  5E346HH01 ,  5G323CA03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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