特許
J-GLOBAL ID：200903091150588546
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-319067
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163571
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流、閾値電圧を低下させて室温で連続発振できるレーザ素子を提供する。【構成】 基板上にn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とを順に有し、p型窒化物半導体層がリッジ形状のストライプを有し、さらに同一面側にn電極と、p電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極は共振面側のリッジ部を除くリッジストライプの平面と側面とに渡って形成されていることにより、実質的なコンタクト面積が大きくなって閾値が低下する。
請求項（抜粋）：
基板上にn型窒化物半導体層と活性層とp型窒化物半導体層とを順に有し、p型窒化物半導体層がリッジ形状のストライプを有し、さらに同一面側にn電極と、p電極とが形成されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極は共振面側のリッジ部を除くリッジストライプの平面と側面とに渡って形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (3件)
前のページに戻る
