半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-190466
公開番号（公開出願番号）：特開平8-056046
出願日： 1994年08月12日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】 6方晶特有の利得特性を利用して高性能の半導体レーザを実現する。【構成】 (0001)サファイア基板1上に、n-AlxGa1-xNクラッド層2、AlyGa1-yN第1光ガイド層3、GaN量子井戸層4、AlyGa1-yN 第2光ガイド層5、p-AlxGa1-xNクラッド層6を連続的に形成する。その後、エッチングによりリッジストライプ7を形成し、SiO2絶縁膜8を堆積した後アノード電極9およびカソード電極10を形成する。ここで量子井戸層4の幅は50Aであり、この量子井戸層4とクラッド層26とのバンドギャップ差は0.35eVである。このレーザの構成で、量子井戸の幅を変えることにより、光学利得の偏光依存性の大きい領域では低しきい値電流の半導体レーザが、単純な構造で実現できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも活性層が6方晶系化合物半導体からなるダブルへテロ構造を有し、前記活性層とキャリア閉じこめ層とのバンドギャップ差が0.4eV以下であり、前記活性層は、井戸幅が50Å以下の量子井戸を有することを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (3件)

青色発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-114541 出願人：日亜化学工業株式会社
量子井戸型半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-314770 出願人：旭化成工業株式会社
半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-203084 出願人：日本電信電話株式会社

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