特許

J-GLOBAL ID：200903091230452610

表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 浅野 康彦
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-374484
公開番号（公開出願番号）：特開2006-185938
出願日： 2004年12月24日
公開日（公表日）： 2006年07月13日
要約：

【課題】 基板に照射する紫外線の照度を調整可能にして表面処理性能を向上した表面処理方法、表面処理装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 紫外線照射装置10に、酸素ガスの流量を制御可能に供給する酸素流量制御弁16を設け、基板ステージ18に紫外線Luvの照度を検出するための紫外線受光部21を配設した。そして、紫外線照射処理を施すときに、紫外線受光部21からの検出信号に基づいて実照度を検出し、検出した実照度に基づいて、その実照度を設定処理照度にするための酸素ガスの流量を算出するようにした。そして、紫外線Luvをガラス基板2に照射する間、酸素ガスの供給量の制御によって、被照射面2sに照射する紫外線Luvの照度を設定処理照度にするようにした。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

出射源から出射した紫外線を基板の被照射面に照射して前記被照射面を表面処理するようにした表面処理方法において、 前記出射源と前記被照射面との間に紫外線を吸収する紫外線吸収媒体を供給し、前記紫外線吸収媒体の供給量を制御することによって、前記被照射面に照射する紫外線の実照度を、予め設定した所定の照度にするようにしたことを特徴とする表面処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ,  B01J 19/12 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50

FI (4件)：

H01L21/304 645D ,  B01J19/12 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A

Fターム (15件)：

3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA00 ,  4G075AA23 ,  4G075AA30 ,  4G075AA61 ,  4G075BA05 ,  4G075CA33 ,  4G075CA61 ,  4G075DA02 ,  4G075EA02 ,  4G075EB01 ,  4G075EB31 ,  4G075FB06 ,  4G075FC04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 誘電体バリア放電ランプを使った処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-240002   出願人：ウシオ電機株式会社