特許

J-GLOBAL ID：200903091276689992

半導体発光素子及び半導体発光装置

発明者： 中島 三郎 ,  古沢 浩太郎 ,  後藤 壮謙
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 寺山 啓進 ,  三好 広之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-136981
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013107
出願日： 2006年05月16日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】リーク電流の発生を低減できる半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。【解決手段】半導体発光素子100は、少なくとも1つの主面にp側反射電極20を有する半導体層10と、p側反射電極20に導電性接着剤60で接合される支持基板50とを備え、支持基板50は、主面上に一部が突出した突出面50sを備え、半導体層10は、突出面50sと対向し、突出面50sにp側反射電極20及び導電性接着剤60を介して接合され、突出面50sと接合される領域の面積よりも大きい接合面10sを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

少なくとも1つの主面に電極を有する半導体層と、前記電極に導電性接着剤で接合される支持基板とを備える半導体発光素子であって、 前記半導体層及び前記支持基板のいずれか一方は、主面上に一部が突出した突出面を備え、他方は、前記突出面と対向し、前記突出面に前記電極及び前記導電性接着剤を介して接合され、前記突出面と接合される領域の面積よりも大きい接合面を備えることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (20件)：

5F041AA25 ,  5F041CA04 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93 ,  5F041DA02 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA16 ,  5F041DA26 ,  5F041DA29 ,  5F041DA44 ,  5F041DA45 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-148470   出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-388964   出願人：日亜化学工業株式会社