特許

J-GLOBAL ID：200903091281863909

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 岡本 國美 ,  太田 裕朗
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-153045
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306062
出願日： 2007年06月08日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】活性層の熱ダメージを抑制することにより、優れた発光効率を実現することができる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】ファブリペロー型の半導体レーザダイオード70は、基板1と、この基板1上に形成されたIII族窒化物半導体積層構造2とを含む。基板1は、m面を主面としたGaN単結晶基板である。III族窒化物半導体積層構造2が結晶成長させられている。III族窒化物半導体積層構造2は、m軸を結晶成長の主面としており、m軸方向に、n型半導体層11、Inを含む発光層10、およびp型半導体層12を積層して構成されている。n型半導体層11はn型AlGaNクラッド層14を含み、p型半導体層12はp型AlGaNクラッド層18を含む。III族窒化物半導体積層構造2の主面は、c軸方向へのオフ角θが-1°<θ<0°の範囲のm面(非極性面)である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Inを含む活性層ならびにこの活性層を挟むように積層されたp型層およびn型層を有するIII族窒化物半導体積層構造を含み、前記III族窒化物半導体積層構造が、c軸方向へのオフ角が負の非極性面を主面とするIII族窒化物半導体からなる、半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01S 5/22

FI (1件)：

H01S5/22

Fターム (4件)：

5F173AA08 ,  5F173AH22 ,  5F173AQ01 ,  5F173AR82

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 窒化物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-319892   出願人：ローム株式会社