特許
J-GLOBAL ID：200903091282698413
半導体のシミュレーション方法及び装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-331641
公開番号（公開出願番号）：特開平9-171521
出願日： 1995年12月20日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 パラメータの分布が正規分布以外の場合でも対応可能なシミュレーション方法及び装置を提供する。【解決手段】 本シミュレーション方法は、パラメータそれぞれについて実際の分布状況に対し個別に適合するように分布情報を入力し又は設定する工程(ST1) と、該分布情報に基づいて、その分布状況に応じた確率で発生する乱数を生成する工程(ST3) と、生成した乱数を用いて素子物理の所定の支配方程式を解くことにより半導体装置の特性を算出する工程(ST5) とを少なくとも含む。分布情報は、一般分布関数,数値データ列,ヒストグラムの何れのかたちで与えてもよい。これにより、正規分布以外の分布関数や積分が簡単に行えない複雑な分布関数をとるパラメータ等、あらゆる分布状況のパラメータについて入力設定が可能となる。また、本シミュレーション装置2は、上記3工程を各々行う入力設定手段6,乱数生成手段8,特性算出手段4と、この算出結果を含む情報を所定形式で出力し又は表示する出力表示手段10とを少なくとも有する。
請求項（抜粋）：
半導体装置の特性変動への影響を見積もろうとする単数又は複数のデバイス又はプロセスパラメータそれぞれについて、実際の分布状況に対し個別に適合するように、分布情報を入力し又は設定する工程と、入力し又は設定した前記分布情報に基づいて、該分布情報が示す実際の分布状況に応じた確率で発生する乱数を生成する工程と、生成した前記乱数を用いて素子物理の所定の支配方程式を解くことにより、半導体装置の特性を算出する工程とを少なくとも含む半導体のシミュレーション方法。
IPC (4件)：
G06F 17/50
, G06F 17/00
, H01L 21/66
, H01L 29/00
G06F 15/60 666 A
, H01L 21/66 Z
, H01L 29/00
, G06F 15/20 D
