特許

J-GLOBAL ID：200903091300017291

半導体装置及びその製造方法

発明者： 江俣 孝司 ,  舘 宏 ,  堀内 整 ,  西馬 雅彦 ,  小熊 広志 ,  小俣 誠 ,  佐々木 雅子 ,  沖永 隆幸
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-246634
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115997
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：

【要約】【目的】 未接続のバンプの発生及びブリッジ不良の発生を防止し、検査方法の確立を不要にすると共に、接続部分の熱疲労寿命を長くする半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】表面に複数の端子(パッド)2が形成された半導体チップ1は、接着剤によってプラスチック又はセラミックのような絶縁材料からなる配線基板3に固着されている。配線基板3の表面からスルーホール4を介して裏面まで延長するように配線パターンからなる導電部5が形成されている。配線基板3の裏面側の各導電部5には、バンプとしての表面に半田のような導電層9がめっき法、印刷法等により付着された導電球8が、BGA構造を構成するように格子状に配列されている。このバンプとして働く導電球8は、予め球径の均一なものが用いられ、かつ配線基板3またはこの配線基板3が接続される実装基板10の軟化点より高い融点を有する導電材料が選ばれる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの表面に形成された複数の端子を導電体を通じて実装基板の導電部に導通させる半導体装置において、前記導電体は実装時溶融しない導電球からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321

FI (2件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 21/92 602 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体パツケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-301583   出願人：松下電工株式会社
• 特開平2-312240
  
• 特開昭62-112355
  
• 特開昭62-266842