低減されたスイッチング損失を有する接続されたパワーパック

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：矢野敏雄 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-570842
公開番号（公開出願番号）：特表2002-525853
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2002年08月13日
要約：

【要約】本発明は、低減されたスイッチング損失を有するスイッチングトランジスタに関する。このスイッチングトランジスタにおいて、出力側容量は小さいドレイン・ソース電圧において非常に大きな値を有し、この容量はドレイン・ソース電圧が上昇するにつれて小さい値に降下し、このトランジスタに蓄積されたエネルギが非常に低い値をとる。

請求項（抜粋）：

接続されたパワーパックであって、該パワーパックはスイッチングトランジスタ(1)及び負荷(2)を有し、前記スイッチングトランジスタ(1)は第1及び第2の主端子を負荷区間の形成のために有し、前記負荷(2)は前記スイッチングトランジスタ(1)の前記負荷区間と直列に接続されている、接続されたパワーパックにおいて、前記スイッチングトランジスタ(1)は第1の伝導型の半導体層(10)を有する半導体ボディを有し、前記半導体層(10)には第2の伝導型のまとまりのある領域(11,12,13,14)が含まれており、該まとまりのある領域(11,12,13,14)は形成された阻止pn接合部において前記半導体ボディと相互作用して電圧に依存する大きな内部表面を形成し、該表面は前記主端子に印加される電圧に依存して変化する、接続されたパワーパック。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/04 , H01L 27/06 , H02M 7/48 , H02M 3/00

FI (5件)：

H02M 7/48 Z , H02M 3/00 Z , H01L 29/78 301 X , H01L 27/06 102 A , H01L 27/04 G

Fターム (36件)：

5F038BH03 , 5F038BH04 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5F048AB10 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BB01 , 5F048BC01 , 5F140AA01 , 5F140AA25 , 5F140AB10 , 5F140BH03 , 5F140BH12 , 5F140BH13 , 5F140BH30 , 5F140BH32 , 5F140BH41 , 5F140BH47 , 5H007AA03 , 5H007BB03 , 5H007BB04 , 5H007BB11 , 5H007CA02 , 5H007CB05 , 5H007CB07 , 5H007HA04 , 5H730AA14 , 5H730AA15 , 5H730AS11 , 5H730AS12 , 5H730BB21 , 5H730BB23 , 5H730DD04 , 5H730ZZ13

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-004918 出願人：富士電機株式会社
パワーMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-076503 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト

引用文献：

審査官引用 (2件)

Theory of Semicoductor Superjunction Devices
Design Considerations and Performance Evaluations of Synchronous Rectification in Flyback Converters

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