特許
J-GLOBAL ID：200903091327491408
半導体装置の実装方法およびその実装構造
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-262139
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107082
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 接続部に対する熱応力を緩和するとともに封止樹脂と半導体チップとの密着力を強化する。【解決手段】 半導体チップ1上のチップ電極2にはAuバンプ3が形成されており、一方、配線基板4上の基板電極5にははんだバンプが形成されている。Auバンプ3とはんだバンプ6は互いに接合されている。半導体チップ1と配線基板4との間隙には、封止樹脂7が充填されている。半導体チップ1と配線基板4との間隙に封止樹脂7が充填され硬化された状態において、半導体チップ1側には封止樹脂7のベース樹脂のみからなるベース樹脂層9を形成し、一方、配線基板4側にはベース樹脂とフィラーとの混在層10を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置を配線基板上にフリップチップ接続し、前記半導体装置と前記配線基板との間隙に封止樹脂を充填した半導体装置の実装構造であって、前記封止樹脂が、該封止樹脂を構成するベース樹脂のみが存在する第1の部分と、該ベース樹脂とフィラーが混在する第2の部分とを含むことを特徴とする半導体装置の実装構造。
IPC (4件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 E
, H01L 23/30 B
