薄膜形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-239409
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055095
出願日： 2001年08月07日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：

【要約】【課題】長尺の基材上に、結晶配向性の優れた薄膜を形成できる方法を提供する。【解決手段】気相中において特定の方向に強制的に飛ばされる1種または複数種の粒子を基材20に衝突させて、1種または複数種の粒子から結晶性薄膜を基材20上に形成する。薄膜がその上に形成される基材20の表面は、粒子が飛ばされる特定の方向(矢印)に対して角度θで傾いており、かつ基材20の表面は、特定の結晶面が優先的に配向する組織を有する多結晶体である。

請求項（抜粋）：

気相中において特定の方向に強制的に飛ばされる1種または複数種の粒子を基材に衝突させて、前記1種または複数種の粒子から結晶性薄膜を前記基材上に形成する方法であって、前記薄膜がその上に形成される前記基材の表面は、前記特定の方向に対して傾いており、かつ前記基材の前記表面は、特定の結晶面が優先的に配向する組織を有する多結晶体であることを特徴とする、薄膜形成方法。

IPC (3件)：

C30B 29/22 501 , C23C 14/28 , H01B 13/00 565

FI (3件)：

C30B 29/22 501 K , C23C 14/28 , H01B 13/00 565 D

Fターム (22件)：

4G077AA03 , 4G077BC53 , 4G077DA03 , 4G077ED04 , 4G077EF01 , 4G077HA08 , 4G077SA04 , 4K029AA02 , 4K029AA25 , 4K029BA50 , 4K029BB02 , 4K029BC04 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4K029JA10 , 4K029KA03 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321AA07 , 5G321CA04 , 5G321CA21 , 5G321CA27

引用特許：

審査官引用 (4件)

単結晶性薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-268776 出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社
酸化物超電導線材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-152410 出願人：古河電気工業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター
金属基板上への中間挿入層の作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-268918 出願人：財団法人電力中央研究所, 学校法人東海大学

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