特許
J-GLOBAL ID：200903091329900402
半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-306293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-157367
出願日： 1993年12月07日
公開日（公表日）： 1995年06月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体製造装置用純度β型炭化ケイ素焼結体の提供。【構成】 液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物と重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下にて焼成して得られた平均粒径が0.5〜20μmであるβ型炭化ケイ素粉末(A)と、焼結助剤として平均粒径が10〜100nmである炭化ケイ素超微粉末(B)を混合した後、得られた混合粉体を高温加圧下で焼結することからなるβ型炭化ケイ素焼結体の製造方法において、該原料及び触媒が不純物元素を実質的に含まないものであり、該中間体物質の炭素/ケイ素のモル比が2.3〜2.5であり、該β型炭化ケイ素焼結体の比抵抗が0.5Ω・cm以下で、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下であることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
液状のケイ素化合物と官能基を有し加熱により炭素を生成する液状の有機化合物と重合又は架橋触媒との混合溶液を硬化乾燥し、得られた固形物を非酸化性雰囲気下で加熱炭化した後、得られた中間体物質をさらに非酸化性雰囲気下にて焼成して得られた平均粒径が0.5〜20μmであるβ型炭化ケイ素粉末(A)と、焼結助剤として平均粒径が10〜100nmである炭化ケイ素超微粉末(B)を混合した後、得られた混合粉体を高温加圧下で焼結することからなるβ型炭化ケイ素焼結体の製造方法において、該原料及び触媒が不純物元素を実質的に含まないものであり、該中間体物質の炭素/ケイ素のモル比が2.3〜2.5であり、該混合粉体中に含まれるB成分の割合が1〜30重量%であり、該β型炭化ケイ素焼結体の比抵抗が0.5Ω・cm以下で、かつ各不純物元素の含有量が1ppm以下であることを特徴とする半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 35/626
, C01B 31/36
, H01L 21/314
, H05B 3/14
