特許
J-GLOBAL ID:200903091338753420

AlN単結晶の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-341249
公開番号(公開出願番号):特開2003-335600
出願日: 2002年11月25日
公開日(公表日): 2003年11月25日
要約:
【要約】【課題】 比較的大きなAlN単結晶を簡易にかつ低コストで製造する。【解決手段】 AlN単結晶の製造方法において、金属aとしてCr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上を含み、金属bとしてSc、Ti、V、Y、Zr、およびNbから選択された1種以上を含み、さらに成分cとしてAlを含むabc系合金の溶融液を窒素含有雰囲気下で調製し、そのabc系合金の融液を冷却するかまたは金属aとbの少なくともいずれかの蒸発によってAlN単結晶を晶出させる。
請求項(抜粋):
金属aとしてCr、Mn、Fe、Co、Cu、およびNiから選択された1種以上を含み、金属bとしてSc、Ti、V、Y、Zr、およびNbから選択された1種以上を含み、さらに成分cとしてAlを含むabc系合金の融液を窒素含有雰囲気下で調製し、前記abc系合金の融液を冷却するかまたは前記金属aとbの少なくともいずれかの蒸発によってAlN単結晶を晶出させることを特徴とするAlN単結晶の製造方法。
IPC (4件):
C30B 29/38 ,  C30B 19/02 ,  C30B 29/62 ,  H01L 21/208
FI (4件):
C30B 29/38 C ,  C30B 19/02 ,  C30B 29/62 Q ,  H01L 21/208 D
Fターム (25件):
4G077AA03 ,  4G077AA04 ,  4G077BE13 ,  4G077CC04 ,  4G077CC05 ,  4G077CG01 ,  4G077CG06 ,  4G077EA02 ,  4G077EA06 ,  4G077EC08 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4G077QA12 ,  4G077QA38 ,  5F053AA03 ,  5F053AA25 ,  5F053BB14 ,  5F053BB24 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL01 ,  5F053RR20
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
  • 特開平1-308898
  • 特公平3-023519
  • 特公平5-012320
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