半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171250
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007217
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】半導体装置に多種類のゲート絶縁膜を簡便な方法で形成できるようにする。【解決手段】シリコン基板表面に選択的に酸化バリア性の高いシリコン窒化膜をシリコン基板の直接熱窒化等で形成する。そして、このシリコン窒化膜の選択的に形成されたシリコン基板表面を熱酸化する。このシリコン基板の熱酸化により、シリコン窒化膜の形成されている領域に組成が異なり薄い膜厚のゲート絶縁膜を形成し、同時に、上記シリコン窒化膜の形成されないシリコン基板表面に膜厚の厚いゲート絶縁膜を形成する。このようにして、複数種のゲート絶縁膜を有する半導体装置を形成する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板表面に選択的にシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜を有するシリコン基板を熱酸化し絶縁ゲート電界効果トランジスタ用の複数種のゲート絶縁膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 21/318 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (5件)：

H01L 27/08 102 C , H01L 21/318 C , H01L 27/10 481 , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Fターム (56件)：

5F001AA13 , 5F001AA14 , 5F001AA18 , 5F001AD12 , 5F001AD62 , 5F001AF05 , 5F001AF10 , 5F001AG02 , 5F001AG10 , 5F001AG12 , 5F001AG23 , 5F048AA05 , 5F048AA07 , 5F048AA09 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BF06 , 5F048BG12 , 5F048BG14 , 5F058BA01 , 5F058BA06 , 5F058BD01 , 5F058BD03 , 5F058BD10 , 5F058BE07 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF55 , 5F058BF63 , 5F058BF64 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F058BJ10 , 5F083EP17 , 5F083EP18 , 5F083EP49 , 5F083EP50 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083JA35 , 5F083JA53 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR16 , 5F083PR36 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-122063
特開昭59-019357
特開平4-208570

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