特許

J-GLOBAL ID：200903091345741730

半導体製造における材料および/または装置の表面の洗浄法

発明者： チャールズ.アンソニー.シュナイダー ,  アール.ジェームス.ギブソン ,  ジョージ.マーティン.エングル ,  ブルース.アレン.ハリング
出願人/特許権者： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド ,  アスペクト.システムズ.インコーポレイテッド ,  ジー.イー.シー.インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-055505
公開番号（公開出願番号）：特開平8-255778
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：

【要約】【課題】 三弗化窒素を使用してもその副生成物を凝縮させ、その大気への排気には危険が伴う欠点を克服するための方法を提供する。【解決手段】 本発明は半導体の二次加工装置、ならびに特に石英製品を熱活性化希釈三弗化窒素を高温、典型的例として加工作業温度で動的洗浄する方法であって、洗浄排出物を安全に除去し、洗浄副生成物を隔離もしくは希釈して洗浄を有効なものとし、かくして洗浄された二次加工装置を迅速に再起動させることを特徴とする。【効果】 希釈三弗化窒素を使用するため、熱暴走反応の心配をなくせるが、炉もしくは他の器具に必要な加工作業温度に匹敵する高温の使用を可能にする。

請求項（抜粋）：

半導体製造における材料および/または装置の表面を希釈三弗化窒素を用いて洗浄法であって、(a) 前記材料および/または装置の表面に接触する帯域を最初に排気する工程と;(b) 前記帯域を三弗化窒素解離に十分な高温で維持する工程と;(c) 三弗化窒素と不活性ガスの混合物を、その混合比がほぼ三弗化窒素の不活性ガスに対しそれぞれほぼ2%:98%乃至70%:30%にして前記帯域を通して流す工程と;(d) 前記材料および/または装置の表面上の好ましくない物質を三弗化窒素から解離させた前記三弗化窒素および/または弗素洗浄試薬の前記物質との化学反応により揮発性反応生成物を形成させて洗浄する工程と;(e) 前記揮発性反応生成物、僅かな量の残留三弗化窒素、および不活性ガスを、加熱排気導管を通して廃棄生成物を排気する前記帯域の後続の排気により除去する工程と;からなり、前記(c)の不活性ガスが窒素、アルゴン、ヘリウムまたはその混合物からなることを特徴とする洗浄法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/308

FI (4件)：

H01L 21/304 341 G ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/308 G ,  H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• クリーニング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-317817   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 特開平4-187771