特許
J-GLOBAL ID：200903091346751801
シリコン系微粒子の製造方法及びその方法により製造されたシリコン系微粒子を用いた薄膜形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 博光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199418
公開番号（公開出願番号）：特開平10-045409
出願日： 1996年07月29日
公開日（公表日）： 1998年02月17日
要約：
【要約】【課題】 均一なシリコン系微粒子を製造する方法及びシリコン系微粒子を用いて簡略に薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 蒸発室1内に設置されたるつぼ7にシリコン6を入れ、不活性ガス中でこれをヒーター8により加熱、溶融させる。不活性ガス中で蒸発したシリコン原子は不活性ガス分子と衝突し、微粒子化する。シリコン微粒子の未結合手が失活する前にこのシリコン微粒子の未結合手にブロック剤を反応させて化学的にブロック化を行い、ブロック化された活性シリコン微粒子を得る。
請求項（抜粋）：
シリコン系材料を不活性ガス中で加熱溶融させる工程と、溶融したシリコン系材料をさらに加熱して蒸発させる工程と、蒸発したシリコン原子を不活性ガス分子と衝突させて微粒子化させる工程と、生じたシリコン系微粒子の未結合手が失活する前に当該シリコン系微粒子の未結合手に一般式(1)R-H (1)(式中、RはF、Cl、Br、I、CnH2n+1-C=CH-CH2F、CnH2n+1-C=CH-CH2Cl、CnH2n+1-C=CH-CH2Br、CnH2n+1-C=CH-CH2I、CnH2n+1-CH-CH2-CH2F、CnH2n+1-CH-CH2-CH2Cl、CnH2n+1-CH-CH2-CH2Br、CnH2n+1-CH-CH2-CH2I、CnH2n+1-C=CHF、CnH2n+1-C=CHCl、CnH2n+1-C=CHBr又はCnH2n+1-C=CHIであり、nは1以上の整数である。)で示されるブロック剤を反応させる工程とを含むことを特徴とするシリコン系微粒子の製造方法。
IPC (4件)：
C01B 33/02
, B01J 19/00
, C01B 31/36
, C01G 17/00
C01B 33/02 D
, C01B 33/02 Z
, B01J 19/00 N
, B01J 19/00 K
, C01B 31/36 A
, C01G 17/00
