半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-155088
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029971
出願日： 1993年06月25日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ローコストでトレンチ分離を形成し、また、分離能力を向上させる。【構成】 P型シリコン基板1の上に保護酸化膜2を形成した後、窒化珪素膜3を堆積し、所定の位置にパターニングを行う。その上に酸化膜4を堆積し、エッチバック法によりサイドウォール5を形成する。トレンチ6を形成後、サイドウォール5を除去し、シリコン表面に酸化膜7を形成した後、砒素イオンを注入しチャネルストップ8を形成する。次に、その上に酸化膜9を堆積し、窒化珪素膜3までエッチバックする。窒化珪素膜3を除去することにより、トレンチ分離が完成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に形成した活性領域上に第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜の側面に前記第1の絶縁膜と異種の第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜をマスクとして半導体基板に溝を形成する工程と、前記第2の絶縁膜を除去する工程と、前記第1の絶縁膜をマスクとして不純物層を形成する工程と、前記活性領域以外の半導体基板上に第3の絶縁膜を埋め込む工程と、前記第1の絶縁膜を除去する工程を有する半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (15件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-325742 出願人：株式会社東芝
特開平4-280451
特開平4-320354

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