特許
J-GLOBAL ID：200903091391316849
窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-062229
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273069
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：
【要約】【目的】 窒化ガリウム系化合物半導体ウェーハをチップ状に分離するにあたり、歩留よく小サイズのチップを得る。【構成】 サファイア基板1表面に窒化ガリウム系化合物半導体層2が積層されてなるウェーハをチップ状に分離する方法において、窒化ガリウム系化合物半導体層2にエッチングにより孔3を形成する工程と、その孔3の位置がスクライブライン4の線上と一致するように前記サファイア基板1側をスクライブする工程と、スクライブ後、スクライブライン4に沿ってウェーハをチップ状に分離する工程とを具備する。
請求項（抜粋）：
サファイア基板表面に窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されてなるウェーハをチップ状に分離する方法において、前記窒化ガリウム系化合物半導体層にエッチングにより孔を形成する工程と、その孔の位置がスクライブラインの線上と一致するように前記サファイア基板面側をスクライブする工程と、スクライブ後、スクライブラインに沿ってウェーハをチップ状に分離する工程とを具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体チップの製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/78 L
, H01L 21/78 S
