特許
J-GLOBAL ID：200903091407301090
光変調素子、GLVデバイス、及びレーザディスプレイ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206453
公開番号（公開出願番号）：特開2003-021794
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月24日
要約：
【要約】【課題】 膜厚が均一で、光反射率の高い光反射膜兼メンブレン側電極を備えた光変調素子を提供する。【解決手段】 本光変調素子30は、GLVデバイスを構成する光変調素子として構成され、メンブレン32の光反射膜兼メンブレン側電極34の構造が異なることを除いて、従来の光変調素子と同じ構成を備えている。光反射膜兼メンブレン側電極は、下層に膜厚が10nmから70nmのTiN膜36と、その上に設けられた膜厚が50nmから150nmのAl膜38との2層金属膜で構成されている。光反射膜兼メンブレン側電極は、Al膜38が平滑な反射面を有して高い光反射率を示すので、光変調素子の光利用効率が高い。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に形成された基板側電極と、前記基板側電極に交差して基板側電極上に離間延在し、少なくとも上層がSiN膜で形成されたブリッジ部材、及び前記基板側電極に対向して前記ブリッジ部材のSiN膜上に設けられた金属膜からなる光反射膜兼メンブレン側電極を有し、前記光反射膜兼メンブレン側電極と前記基板側電極との間に働く静電引力又は静電反発力により前記光反射膜を駆動するメンブレンとを備える光変調素子において、アルミニウム(Al)を主成分とするAl膜と、前記Al膜下に設けられた、高融点金属膜、高融点金属窒化膜、及び高融点金属炭化膜の少なくともいずれかを有する多層金属膜が、前記光反射膜兼メンブレン側電極として形成されていることを特徴とする光変調素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G02B 26/08 E
, G02B 27/18 Z
2H041AA16
, 2H041AB14
, 2H041AC06
, 2H041AZ02
, 2H041AZ08
