特許
J-GLOBAL ID：200903091458455334

基板上に付着したフォトレジスト及び/又は犠牲反射防止材料のエッチング後除去のための組成物並びにプロセス

発明者：
ラス,メリッサ,ケー.

ラス,メリッサ,ケー. について

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バーンハード, デービッド, ディー

バーンハード, デービッド, ディー について

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ミンセク,デービッド

ミンセク,デービッド について

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コルチェンスキ,マイケル,ビー.

コルチェンスキ,マイケル,ビー. について

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バウム,トーマス,エイチ.

バウム,トーマス,エイチ. について


出願人/特許権者：
アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド

アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  大賀 眞司 ,  大貫 敏史
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-501931
公開番号（公開出願番号）：特表2007-526523
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：
その上にフォトレジスト及び/又は犠牲反射防止膜(SARC)材料を有する基板からかかる材料を除去するための組成物及びプロセスを開示する。この組成物は、アルカリ又はアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基などの塩基成分、あるいは酸化剤との組み合わせの強塩基を含む。例えば、キレート剤、界面活性剤、及び/又は共溶媒種と一緒に水性媒体中でこの組成物を利用して、集積回路製造において基板上の銅、アルミニウム及び/又はコバルト合金などの金属種に悪影響のない状態で、かつ、半導体構築において利用されるSiOCをベースとする誘電材料に損傷のない状態でフォトレジスト及び/又はSARC材料の非常に効率的な除去を達成することができる。
請求項（抜粋）：
その上にフォトレジスト及び/又は犠牲反射防止膜(SARC)材料を有する基板からかかる材料を除去するために有用な洗浄組成物であって、(a)少なくとも一種のアルカリ及びアルカリ土類金属塩基との組み合わせの第四級アンモニウム塩基;並びに(b)酸化剤との組み合わせの強塩基よりなる群から選択される活性クリーニングの組み合わせ(ACC)を含む、洗浄組成物。
IPC (16件)：
G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  C11D 7/32 ,  C11D 3/30 ,  C11D 3/43 ,  C11D 3/04 ,  C11D 1/72 ,  C11D 3/34 ,  C11D 3/28 ,  C11D 3/37 ,  C11D 3/39 ,  C11D 3/36 ,  C11D 3/20 ,  C11D 3/32 ,  C11D 1/04 ,  C11D 1/22
FI (16件)：
G03F7/42 ,  H01L21/30 572B ,  C11D7/32 ,  C11D3/30 ,  C11D3/43 ,  C11D3/04 ,  C11D1/72 ,  C11D3/34 ,  C11D3/28 ,  C11D3/37 ,  C11D3/39 ,  C11D3/36 ,  C11D3/20 ,  C11D3/32 ,  C11D1/04 ,  C11D1/22
Fターム (20件)：
2H096AA25 ,  2H096CA06 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04 ,  2H096LA03 ,  4H003AB03 ,  4H003AB19 ,  4H003AC11 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA21 ,  4H003EB13 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003ED02 ,  4H003ED28 ,  4H003ED29 ,  4H003EE04 ,  4H003EE05 ,  5F046MA02
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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