特許
J-GLOBAL ID：200903091462973315

半導体装置の製造方法および半導体装置製造用モールド

発明者：
炭谷 博昭

炭谷 博昭 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-069935
公開番号（公開出願番号）：特開2003-272998
出願日： 2002年03月14日
公開日（公表日）： 2003年09月26日
要約：
【要約】【課題】 モールドプレスすることにより得られたパターンの残渣をなくすことでエッチング工程をなくし、照射光の波長以下の微細パターンまで形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、パターンの形成されたモールド1をネガ型のフォトレジスト2に押し付ける工程と、モールド1をフォトレジスト2に押し付けた状態で、照射光7をモールド1を通じてフォトレジスト2に選択的に照射する工程と、フォトレジスト2を現像することによりフォトレジスト2の照射光7が照射されていない領域を除去してフォトレジスト2をパターニングする工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
パターンの形成されたモールドをフォトレジストに押し付ける工程と、前記モールドを前記フォトレジストに押し付けた状態で、照射光を前記モールドを通じて前記フォトレジストに選択的に照射する工程と、前記フォトレジストを現像することにより、前記フォトレジストの前記照射光が照射されていない領域を除去して、前記フォトレジストをパターニングする工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 521
FI (4件)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/14 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 D
Fターム (9件)：
2H095BA04 ,  2H095BA06 ,  2H095BA07 ,  2H095BB02 ,  2H095BC09 ,  2H095BC27 ,  2H095BC28 ,  5F046AA25 ,  5F046CB17
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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