特許

J-GLOBAL ID：200903091473584108

シリコンの洗浄方法および洗浄装置

発明者： 張 宏勇 ,  坂倉 真之 ,  後藤 裕吾
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-187326
公開番号（公開出願番号）：特開平11-016866
出願日： 1997年06月27日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：

【要約】【課題】 シリコン表面を有する基板を湿式の洗浄又はエッチングを行った後に、基板を純水リンス中又はリンス後に酸化剤を添加した純水によってリンスして、シリコン表面に酸化膜を10〜30Å形成した後に、基板を乾燥させるシリコン基板の洗浄方法および洗浄装置。【解決手段】 シリコン表面に酸化膜を形成した後に、乾燥させるためにウォータマークの発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン表面を有する基板を湿式の洗浄を行った後に、シリコン表面を純水にてリンスし、当該リンス中又はリンス後にシリコン表面に10〜30Åの酸化膜を乾燥前に形成した後に、シリコン表面を乾燥させることを特徴とするシリコンの洗浄方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 341 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-228328
  
• 特開平3-136329
  
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-225851   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所