特許
J-GLOBAL ID：200903082533962973
半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225851
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069967
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行ない、さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜を得る。そしてさらに550°C、4時間の加熱処理を施すこにより、欠陥密度の小さい結晶性珪素膜を得る。
請求項（抜粋）：
結晶化を助長する金属元素を非晶質珪素膜に選択的に導入する工程と、前記珪素膜に対してレーザー光または強光を照射する工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (6件)：
H01L 21/20
, H01L 21/02
, H01L 21/268
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
