特許
J-GLOBAL ID：200903091490281518
膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-154629
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344892
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかもクラックが生じ難く、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を得る。【構成】 (A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1Si(OR2)3 ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示す。)と(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3a(R4O)3-aSi-(R7)c-Si(OR5)3-bR6b ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、aおよびbは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、cは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)とからなるシラン化合物を(B)下記一般式(3)で表される溶剤R8O(CHCH3CH2O)dR9 ・・・・・(3)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、dは1〜2の整数を表す。)の存在下に加水分解することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。
請求項（抜粋）：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物R1Si(OR2)3 ・・・・・(1)(R1は水素原子、フッ素原子または1価の有機基を示し、R2は1価の有機基を示す。)と(A-2)下記一般式(2) で表される化合物 R3a(R4O)3-aSi-(R7)c-Si(OR5)3-bR6b ・・・・・(2)(R3、R4、R5およびR6は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、aおよびbは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の数を示し、R7は酸素原子または-(CH2)n-を示し、cは0または1を示し、nは1〜6の数を示す。)とからなるシラン化合物を(B)下記一般式(3)で表される溶剤R8O(CHCH3CH2O)dR9 ・・・・・(3)(R8およびR9は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCH3CO-から選ばれる1価の有機基を示し、dは1〜2の整数を表す。)の存在下に加水分解することを特徴とする膜形成用組成物の製造方法。
IPC (5件)：
C08G 77/18
, C08G 77/50
, C09D183/06
, C09D183/14
, H01L 21/312
C08G 77/18
, C08G 77/50
, C09D183/06
, C09D183/14
, H01L 21/312 C
4J035BA11
, 4J035CA01N
, 4J035CA112
, 4J035CA142
, 4J035CA162
, 4J035HA01
, 4J035HA05
, 4J035HB02
, 4J035HB03
, 4J035LB01
, 4J035LB20
, 4J038DL021
, 4J038DL031
, 4J038NA21
, 4J038PB09
, 5F058AA02
, 5F058AA03
, 5F058AA04
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
