特許
J-GLOBAL ID：200903073664628662
膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
白井 重隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-118950
公開番号（公開出願番号）：特開2000-309752
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能な、しかもクラックが生じ難く、誘電率特性などに優れた膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】 (A)R1 a Si(OR2 )4-a (R1 およびR2 は1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す)で表される化合物、ならびに(B-1)R3 b (R4 O)3-b Si-O-Si(OR5 )3-c R6 c (R3 ,R4 ,R5 およびR6 は1価の有機基を示し、bおよびcは0〜2の整数を表す)で表される化合物、および/または(B-2)R7 d (R8 O)3-d Si-(CH2 )n -Si(OR9 )3-e R10e (R7 ,R8 ,R9 およびR10は1価の有機基を示し、dおよびeは0〜2の整数を示し、nは0〜6の整数を表す)で表される化合物の、加水分解物および/または縮合物を含有する膜形成用組成物。
請求項（抜粋）：
(A)下記一般式(1)で表される化合物、R1 a Si(OR2 )4-a ・・・・・(1)(R1 およびR2 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、aは0〜2の整数を表す。)ならびに(B)(B-1)下記一般式(2) で表される化合物 R3 b (R4 O)3-b Si-O-Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(2)(R3 ,R4 ,R5 およびR6 は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、bおよびcは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の整数を表す。)および/または(B-2)下記一般式(3)で表される化合物 R7 d (R8 O)3-d Si-(CH2 )n -Si(OR9 )3-e R10e ・・・・・(3)(R7 ,R8 ,R9 およびR10は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ1価の有機基を示し、dおよびeは、同一でも異なっていてもよく、0〜2の整数を示し、nは0〜6の整数を表す。)からなる化合物の加水分解物および/または縮合物を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (7件)：
C09D183/06
, B05D 5/12
, B05D 7/24 302
, C08G 77/18
, C09D183/14
, H01L 21/312
, H01L 21/316
C09D183/06
, B05D 5/12 D
, B05D 7/24 302 Y
, C08G 77/18
, C09D183/14
, H01L 21/312 C
, H01L 21/316 G
4D075CA23
, 4D075DB14
, 4D075DC22
, 4D075EA05
, 4D075EB42
, 4D075EB56
, 4J035BA02
, 4J035BA11
, 4J035BA13
, 4J035CA061
, 4J035EA01
, 4J035LB01
, 4J038DL051
, 4J038DL052
, 4J038DL161
, 4J038DL162
, 4J038JC32
, 4J038NA11
, 4J038NA21
, 5F058AA02
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH02
