表示装置の製造方法および表示装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-082477
公開番号（公開出願番号）：特開2005-266667
出願日： 2004年03月22日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】駆動電圧の低い状態で、各有機EL素子における非発光欠陥が低減可能であるとともに、発光寿命も長く、生産性にも優れた表示装置の製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】基板11上に下部電極16と上部電極とで有機層を挟持してなる複数の画素が配列形成された画素領域Aを有する表示装置の製造方法および表示装置であって、基板11上に第1絶縁膜14を形成する第1工程と、画素領域A内の第1絶縁膜14上に各画素に対応する複数の下部電極16を形成するとともに、画素領域Aの外側の周辺領域Bの第1絶縁膜14上に導電膜31を形成し、導電膜31に第1絶縁膜14に達する孔部31aを形成する第2工程と、下部電極16および導電膜31が設けられた基板11にベーク処理を行う第3工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法および表示装置である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極と上部電極とで有機層を挟持してなる複数の画素が配列形成された画素領域を有する表示装置の製造方法であって、前記基板上に絶縁膜を形成する第1工程と、前記画素領域内の前記絶縁膜上に、前記各画素に対応する複数の前記下部電極を形成するとともに、前記画素領域の外側の前記絶縁膜上に導電膜を形成し、当該導電膜に前記絶縁膜に達する孔部を形成する第2工程と、前記下部電極および前記導電膜が設けられた前記基板にベーク処理を行う第3工程とを有することを特徴とする表示装置の製造方法。

IPC (6件)：

G09F9/00 , G09F9/30 , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/14 , H05B33/22

FI (7件)：

G09F9/00 338 , G09F9/30 330Z , G09F9/30 365Z , H05B33/06 , H05B33/10 , H05B33/14 A , H05B33/22 Z

Fターム (36件)：

3K007AB06 , 3K007AB11 , 3K007AB13 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007CC05 , 3K007DB03 , 3K007EA00 , 3K007FA03 , 5C094AA04 , 5C094AA38 , 5C094AA42 , 5C094AA48 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA12 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA13 , 5C094DB01 , 5C094EA04 , 5C094EA05 , 5C094EA07 , 5C094FA01 , 5C094FB01 , 5C094FB20 , 5C094GB10 , 5G435AA13 , 5G435AA17 , 5G435BB05 , 5G435CC09 , 5G435CC12 , 5G435HH12 , 5G435HH14 , 5G435KK05

引用特許：

出願人引用 (1件)

アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122485 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (2件)

発光装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-145433 出願人：セイコーエプソン株式会社
アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-122485 出願人：株式会社東芝

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