特許

J-GLOBAL ID：200903091498381139

半導体集積回路装置の製造方法

発明者： 野口 純司 ,  浅香 昭二 ,  小西 信博 ,  大橋 直史 ,  丸山 裕之
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300853
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110679
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性(信頼性)を向上する。【解決手段】 CMP後洗浄に際して、アルカリ洗浄、水素アニール等による還元処理および酸洗浄を順に施す。また、そのCMP後洗浄後、キャップ膜用の絶縁膜19bの形成前に、半導体基板1に対して、水素プラズマ処理およびアンモニアプラズマ処理を施す。このようにして低誘電率な絶縁材料で構成される層間絶縁膜に、銅を主成分とする埋め込み配線23aを形成する。

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法;(a)半導体基板の第1の主面上に第1の絶縁膜を堆積する工程、(b)前記第1の絶縁膜に配線開口部を形成する工程、(c)前記配線開口部内を含む前記第1の絶縁膜上に、配線形成用の第1の導体膜および銅を主成分とする配線形成用の第2の導体膜を順に堆積する工程、(d)前記配線形成用の第1,第2の導体膜を研磨することにより、前記配線開口部内に配線を形成する研磨工程、(e)前記研磨工程後の半導体基板に対して洗浄処理を施す工程、(f)前記洗浄処理後の半導体基板に対して水素ガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程、(g)前記洗浄処理後の半導体基板に対してアンモニアガス雰囲気中においてプラズマ処理を施す工程、(h)前記水素ガスプラズマおよびアンモニアガスプラズマ処理後、前記第1の絶縁膜および前記配線上に第2の絶縁膜を堆積する工程。

IPC (7件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

FI (6件)：

H01L 21/304 622 Q ,  H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 J ,  H01L 27/08 102 D

Fターム (71件)：

5F033HH04 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH23 ,  5F033HH25 ,  5F033HH28 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK19 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP21 ,  5F033PP22 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033QQ90 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR15 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS01 ,  5F033SS03 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033XX00 ,  5F033XX31 ,  5F048AC01 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF12 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048DA24

引用特許：

審査官引用 (6件)

• ウエハの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138365   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-191804   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-043623   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-246963   出願人：株式会社東芝
• 銅配線の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-229466   出願人：住友金属工業株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-165732   出願人：日本電気株式会社