特許

J-GLOBAL ID：200903091507167366

薄膜形成装置および薄膜形成方法

発明者： 上山 勉 ,  井関 出
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 川崎 実夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296037
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100737
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：

【要約】【課題】少ない転写回数で複数の薄膜を基板に転写することができ、これによって工程が簡素化され、それに応じて薄膜形成処理のコストを低減することができる薄膜形成装置および薄膜形成方法を提供する。【解決手段】ウエハ20と転写シート30とが対向配置される。転写シート20の表面には、複数の薄膜層41〜43からなる多層配線薄膜構造40が形成されている。ウエハ20と転写シート30とを密接させ、その後、転写シート30のみを引き剥がすと、ウエハ20に多層配線薄膜構造40が転写される。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の薄膜を形成するための薄膜形成装置であって、複数の薄膜を担持する転写部材と、この転写部材と基板とを密着させて上記転写部材に担持されている複数の薄膜を当該基板に一括転写する転写機構とを含むことを特徴とする薄膜形成装置。

IPC (4件)：

H01L 21/312 ,  G02F 1/1345 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/12 501

FI (4件)：

H01L 21/312 A ,  G02F 1/1345 ,  H01L 23/12 501 Z ,  H01L 21/90 Z

Fターム (22件)：

2H092GA45 ,  2H092GA50 ,  2H092JB24 ,  2H092JB33 ,  2H092MA02 ,  2H092MA43 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033RR09 ,  5F033RR21 ,  5F033XX33 ,  5F058AB07 ,  5F058AD02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• ポリイミド多層配線基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-304755   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭60-182138