薄膜パターンの形成方法、デバイスおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西和哉 , 志賀正武 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-208516
公開番号（公開出願番号）：特開2006-026522
出願日： 2004年07月15日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：

【課題】微細な薄膜パターンを精度良く安定して形成できる薄膜パターンの形成方法を提供する。【解決手段】本発明の薄膜パターンの形成方法は、基板P上に機能性材料の薄膜パターンを形成する方法であって、基板P上に受容層材料を含む受容層用インク32a(第1の機能液)を配して受容層パターン32を形成する受容層形成工程と、前記受容層パターン32に対し導電性微粒子等を含む導電層用インク(第2の機能液)を配して導電層パターン33を形成する機能層形成工程とを有している。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基体上に機能性材料の薄膜パターンを形成する方法であって、基体上に受容層材料を含む第1の機能液を配して受容層パターンを形成する受容層形成工程と、前記受容層パターンに対し機能性材料を含む第2の機能液を配して機能層パターンを形成する機能層形成工程とを有することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。

IPC (7件)：

B05D 7/24 , B05D 1/26 , H01L 21/288 , H05K 3/10 , H01L 21/320 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

B05D7/24 303H , B05D1/26 Z , H01L21/288 Z , H05K3/10 D , H01L21/88 B , H01L29/78 617J , H01L29/78 616K , H01L29/78 618A

Fターム (100件)：

3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 4D075AC06 , 4D075BB68X , 4D075CA22 , 4D075CA23 , 4D075DA06 , 4D075DC22 , 4D075EA12 , 4D075EB02 , 4D075EB16 , 4D075EB42 , 4D075EC10 , 4D075EC24 , 4D075EC53 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5E343AA02 , 5E343AA12 , 5E343AA22 , 5E343AA26 , 5E343AA34 , 5E343AA37 , 5E343BB23 , 5E343BB24 , 5E343BB25 , 5E343BB28 , 5E343BB44 , 5E343BB48 , 5E343BB59 , 5E343BB60 , 5E343BB72 , 5E343BB75 , 5E343CC32 , 5E343DD12 , 5E343EE36 , 5E343EE37 , 5E343ER35 , 5E343FF05 , 5E343GG08 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH38 , 5F033PP26 , 5F033QQ73 , 5F033VV15 , 5F033XX03 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE07 , 5F110EE42 , 5F110FF03 , 5F110FF12 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK32 , 5F110HK34 , 5F110NN16 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19

引用特許：

出願人引用 (2件)

電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-078149 出願人：セイコーエプソン株式会社
積層型半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-017134 出願人：セイコーエプソン株式会社

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