特許

J-GLOBAL ID：200903091523010426

半導体レーザ素子とその製造方法

発明者： ▲広▼山 良治 ,  上谷 ▲高▼弘 ,  太田 潔 ,  米田 幸司 ,  庄野 昌幸 ,  茨木 晃 ,  吉年 慶一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-321241
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124736
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 腐食性ガスを用いずに歩留まりよく製造できる光閉じ込め層を有する半導体レーザ素子とその製造方法を提供することが目的である。【解決手段】 一主面が(100)面から[011]方向に5度〜17度で傾斜したn型GaAs半導体基板と、このn型GaAs半導体基板1の一主面上に形成されたn型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成された活性層5と、活性層5上に形成されたリッジ部7bを有するp型クラッド層7と、p型クラッド層7上に形成されたn型光閉じ込め層10と、層厚0.4μm以下のn型電流ブロック層11と、を備える。

請求項（抜粋）：

一主面が{100}面から<011>方向に5度〜17度で傾斜した第1導電型のGaAsからなる半導体基板と、該半導体基板の一主面上に形成された第1導電型のクラッド層と、該第1導電型のクラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された電流通路となるストライプ状リッジ部を有する前記第1導電型とは逆導電型となる第2導電型のクラッド層と、該リッジ部の側面上を覆うように前記第2導電型のクラッド層上に形成された該第2導電型のクラッド層より屈折率が小さく且つ発振光のエネルギーより大きなエネルギーのバンドギャップを有するAlを含有してなる光閉じ込め層と、該光閉じ込め層上に形成された酸化防止層としての第1導電型の電流ブロック層と、を備え、前記第1導電型の電流ブロック層の層厚が0.4μm以下であることを特徴とする半導体レーザ素子。

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073CA13 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-149738   出願人：日本電気株式会社