III-V族化合物半導体素子

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田数彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-096824
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274469
出願日： 1998年03月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】素子化の際のボンディング性が改良されたIII-V族化合物半導体素子を提供する。【解決手段】(1)化合物半導体層上に電極層を有して成るIII-V族化合物半導体素子であって、電極層が化合物半導体層に接触するAu含有層とIII族元素含有率5%以下の表面層とを含むIII-V族化合物半導体素子、および、(2)化合物半導体層上に電極層を有して成るIII-V族化合物半導体素子であって、電極層が化合物半導体層に接触するAu含有層と不純物吸収層と表面層とを含むIII-V族化合物半導体素子。

請求項（抜粋）：

化合物半導体層上に電極層を有して成るIII-V族化合物半導体素子であって、電極層が化合物半導体層に接触するAu含有層とIII族元素含有率5%以下の表面層とを含むことを特徴とするIII-V族化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 29/43 , H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 29/46 G , H01L 33/00 C , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-264474
特開平2-098171
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-158847 出願人：住友電気工業株式会社

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