特許
J-GLOBAL ID:200903091552931905

Ag合金薄膜電極、有機EL素子及びスパッタリング用ターゲット

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 打揚 洋次 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-242174
公開番号(公開出願番号):特開2003-055721
出願日: 2001年08月09日
公開日(公表日): 2003年02月26日
要約:
【要約】【課題】 密着性に優れたAg合金薄膜からなる電極、この薄膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット、及びこの薄膜を用いた有機EL素子の提供。【解決手段】 Agに、AuとCu、Ti及びSnから選択された少なくとも1つの金属とを添加してなるAg合金から形成された薄膜であって、0.1〜4.0at%のAu、0〜5.0at%のCu、0〜1.0at%のTi、及び0〜1.0at%のSnを含有する薄膜からなる。この薄膜と同じ合金組成を有するスパッタリング用ターゲット。この薄膜からなる電極を用いた有機EL素子。
請求項(抜粋):
Agに、AuとCu、Ti及びSnから選択された少なくとも1つの金属とを添加してなるAg合金から形成された薄膜であって、0.1〜4.0at%のAu、0〜5.0at%のCu、0〜1.0at%のTi、及び0〜1.0at%のSnを含有するAg合金薄膜からなることを特徴とするAg合金薄膜電極。
IPC (9件):
C22C 5/06 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 1/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26 ,  H01B 5/14
FI (9件):
C22C 5/06 C ,  C23C 14/06 L ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  H01B 1/02 Z ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H01B 5/14 A
Fターム (27件):
3K007AB11 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007CC00 ,  3K007DA01 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4K029AA09 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA08 ,  4K029BA15 ,  4K029BA22 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  5G301AA01 ,  5G301AA02 ,  5G301AA08 ,  5G301AA20 ,  5G301AA21 ,  5G301AB20 ,  5G301AD10 ,  5G307FB02 ,  5G307FC05
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る