特許
J-GLOBAL ID:200903091552931905
Ag合金薄膜電極、有機EL素子及びスパッタリング用ターゲット
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
打揚 洋次 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-242174
公開番号(公開出願番号):特開2003-055721
出願日: 2001年08月09日
公開日(公表日): 2003年02月26日
要約:
【要約】【課題】 密着性に優れたAg合金薄膜からなる電極、この薄膜を形成するためのスパッタリング用ターゲット、及びこの薄膜を用いた有機EL素子の提供。【解決手段】 Agに、AuとCu、Ti及びSnから選択された少なくとも1つの金属とを添加してなるAg合金から形成された薄膜であって、0.1〜4.0at%のAu、0〜5.0at%のCu、0〜1.0at%のTi、及び0〜1.0at%のSnを含有する薄膜からなる。この薄膜と同じ合金組成を有するスパッタリング用ターゲット。この薄膜からなる電極を用いた有機EL素子。
請求項(抜粋):
Agに、AuとCu、Ti及びSnから選択された少なくとも1つの金属とを添加してなるAg合金から形成された薄膜であって、0.1〜4.0at%のAu、0〜5.0at%のCu、0〜1.0at%のTi、及び0〜1.0at%のSnを含有するAg合金薄膜からなることを特徴とするAg合金薄膜電極。
IPC (9件):
C22C 5/06
, C23C 14/06
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01B 1/02
, H05B 33/10
, H05B 33/14
, H05B 33/26
, H01B 5/14
FI (9件):
C22C 5/06 C
, C23C 14/06 L
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 A
, H01B 1/02 Z
, H05B 33/10
, H05B 33/14 A
, H05B 33/26 Z
, H01B 5/14 A
Fターム (27件):
3K007AB11
, 3K007AB15
, 3K007AB18
, 3K007CC00
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007FA01
, 4K029AA09
, 4K029BA04
, 4K029BA05
, 4K029BA08
, 4K029BA15
, 4K029BA22
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 5G301AA01
, 5G301AA02
, 5G301AA08
, 5G301AA20
, 5G301AA21
, 5G301AB20
, 5G301AD10
, 5G307FB02
, 5G307FC05
引用特許:
審査官引用 (1件)
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スパッタリングターゲット
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-140336
出願人:凸版印刷株式会社, 住友金属鉱山株式会社
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