ウエハのレジスト現像方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-149239
公開番号（公開出願番号）：特開平10-339956
出願日： 1997年06月06日
公開日（公表日）： 1998年12月22日
要約：

【要約】【課題】ウエハ上に滴下される現像液中のマイクロバブルをなくすことによって、ウエハ上の回路パターンの欠陥を低減させ、良品の半導体チップを得る。【解決手段】現像液に含まれている、もしくは現像液がウエハに接触するときに発生するマイクロバブルが、ウエハ中央部に溜まると、回転半径が小さく遠心力が小さいため、ウエハ外に振り切ることができない。そこで、ウエハ中央部と外周部とでは遠心力が異なるため、現像液を滴下する位置によって、ウエハの回転数を複数段階に設定することで、ウエハ上のマイクロバブルを振り切ることができる。

請求項（抜粋）：

マスクパターンを露光したレジストが形成されているウエハを回転させ、移動するノズルから現像液をウエハ面に滴下するウエハのレジスト現像方法において、ウエハ面に現像液を滴下するときに、ウエハの回転数を低速回転から高速回転へと段階的に引き上げて行くことを特徴とするウエハのレジスト現像方法。

IPC (3件)：

G03F 7/30 , G03F 7/30 502 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/30 , G03F 7/30 502 , H01L 21/30 569 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-276722
特開昭61-112320
特開平2-156245

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