特許

J-GLOBAL ID：200903091557975110

半導体加速度センサ及びその製造方法

発明者： 谷口 直博 ,  友成 恵昭 ,  笠野 文宏 ,  石田 拓郎 ,  野原 一也 ,  吉田 仁
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 石田 長七 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-025677
公開番号（公開出願番号）：特開平7-234242
出願日： 1994年02月23日
公開日（公表日）： 1995年09月05日
要約：

【要約】【目的】梁部に反りが生じない半導体加速度センサ及びその製造方法を提供する。【構成】シリコン基板を加工して枠状の支持部1の内部に薄肉の梁部2と、梁部2によって揺動自在に支持される重り部3とを形成する。梁部2の表面には複数のピエゾ抵抗Rx1 ...が形成してある。複数のピエゾ抵抗Rx1 ...間を絶縁するための酸化シリコン膜24が梁部2及び支持部1の表面に形成してある。また、梁部2の裏面に酸化シリコン膜21が形成してある。この裏面の酸化シリコン膜21は、予め重り部3が形成される方のシリコン基板の表面に形成しておいてから、梁部2となる別のシリコン基板と接合することによって形成されるのである。梁部2の表裏両面に酸化シリコン膜21,24を形成したので、熱膨張によって梁部2に生じる内部応力を相殺して梁部2に反りが生じるのを防止できる。

請求項（抜粋）：

重り部と、薄肉の梁部と、梁部によって重り部を揺動自在に支持する支持部とを半導体基板を加工して一体に形成して成るセンサ部を備えた半導体加速度センサにおいて、梁部の表裏両面に薄膜を形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2件)：

G01P 15/12 ,  H01L 29/84

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-196176
  
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316278   出願人：株式会社ニコン

審査官引用 (3件)

• 特開平4-196176
  
• 特開平4-196176
  
• 半導体加速度センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316278   出願人：株式会社ニコン