特許
J-GLOBAL ID：200903091574767041
アルミニウム電極上へのニッケルめっき法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-223295
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069524
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【目的】 信頼性の高い電極形成のためのアルミニウム電極上への無電解ニッケルめっき法を提供することを目的とする。【構成】 アルミニウム電極12上に活性化液でパラジウムの析出物14による核付けを行った後、還元剤である次亜リン酸ナトリウムを純水に溶かした後、水酸化ナトリウム溶液でpH9.0〜12.0に調整しながら純水を加えてトータルで1000mLにした溶液15に浸漬した後、半導体素子のアルミニウム電極12をpH5.0〜6.8、温度80〜90°Cの酸化還元反応型の無電解ニッケルめっき液でめっきすることにより半導体素子の全てのアルミニウム電極12にリンを含むニッケル膜16が得られる。
請求項（抜粋）：
半導体素子のアルミニウム電極表面にバリアメタルあるいは突起電極としてニッケルめっきを施すにあたり、上記素材を酸性液あるいはアルカリ性液によりエッチング処理した後、パラジウムイオンを含む活性化液でアルミニウム電極表面にパラジウムの核付けを行い、次に還元剤を溶かしたアルカリ性溶液に浸漬することにより前記アルミニウム電極表面を活性化し、さらに前記還元剤溶液をアルミニウム電極に付着させた状態で前記アルミニウム電極を酸化還元反応型の無電解ニッケルめっき液に浸漬することによりめっきを行うことを特徴とするアルミニウム電極上へのニッケルめっき法。
IPC (2件)：
H01L 21/321
, H01L 21/288
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/288 N
, H01L 21/92 602 B
, H01L 21/92 604 R
