特許

J-GLOBAL ID：200903091595108153

強誘電体記憶素子

発明者： 緒方 信人
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-167525
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012751
出願日： 1996年06月27日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【解決手段】 基板1上に形成された強誘電体薄膜5と強誘電体薄5膜上に形成された電極層とからなり、電極層が、Pt電極6とPt電極6上に形成された酸化物導電性薄膜7とから構成される強誘電体記憶素子。【効果】 強誘電体記憶素子の製造工程中の不活性ガス又は還元性雰囲気等下での熱処理時において、Pt電極を通しての強誘電体薄膜からの構成元素の揮発や、雰囲気の構成元素の強誘電体薄膜への侵入を抑制することができ、強誘電体特性を劣化させず、強誘電体の特性を十分に引き出した強誘電体記憶素子を得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された強誘電体薄膜と該強誘電体薄膜上に形成された電極層とからなり、該電極層が、Pt電極と該Pt電極上に形成された酸化物導電性薄膜とから構成されることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (9件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 11/22 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 強誘電体キャパシタ構造及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-158101   出願人：ソニー株式会社