特許

J-GLOBAL ID：200903094897255162

強誘電体キャパシタ構造及びその製造方法

発明者： 渡部 浩司 ,  田中 均洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158101
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012830
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】水素ガス雰囲気中でのアニールで劣化が生じない強誘電体キャパシタ構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】下部電極層4、強誘電体層6、上部電極層8の順に積層された構造を有する強誘電体キャパシタ構造において、上部電極層8を、電極層81と酸化物導電性材料からなる導電性保護層82との積層構造とする。

請求項（抜粋）：

下部電極層、強誘電体層、上部電極層の順に積層された構造を有する強誘電体キャパシタ構造において、該上部電極層が、電極層と酸化物導電性材料からなる導電性保護層との積層構造であることを特徴とする強誘電体キャパシタ構造。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 強誘電体容量素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-235330   出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274197   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-087841   出願人：株式会社日立製作所