半導体ウェーハの熱処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-097110
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107018
出願日： 1997年04月15日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：

【要約】【課題】ウェーハの大口径化に応じて工程の均一性及び品質を高めることが可能な半導体ウェーハの熱処理装置を提供する。【解決手段】密閉された空間を形成する工程チャンバー21と、工程チャンバー内に設置されて、熱処理されるウェーハ23を載置するサセプタ22と、サセプタに設けられて、工程チャンパー内部を加熱する熱抵抗ヒーター29と、ウェーハの上方に設けられて、工程チャンバー内部を加熱するランプ28と、工程チャンバーに設けられて、ガスを工程チャンバー内に供給するガスインジェクタ33と、ガスインジェクタに設けられて、工程チャンバー内に供給されるガスを予熱するガス用ヒーター34とを含む。【効果】工程チャンバー内の工程温度範囲を広く選択できるとともに、高温による熱変形や温度の急変によるストレスを減少させることができる。

請求項（抜粋）：

密閉された空間を形成する工程チャンバーと、前記工程チャンバー内に設置されて、熱処理されるウェーハを載置するサセプタと、前記サセプタに設けられて、加熱するための熱抵抗ヒーターと、前記ウェーハの上方に設けられて、前記工程チャンバー内部を加熱するランプと、前記工程チャンバーに設けられて、ガスを前記工程チャンバー内に供給するガスインジェクタと、前記ガスインジェクタに設けられて、前記工程チャンバー内に供給されるガスを予熱するガス用ヒーターとを含むことを特徴とする半導体ウェーハの熱処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , H01L 21/26 , H01L 21/324

FI (3件)：

H01L 21/31 E , H01L 21/324 R , H01L 21/26 G

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-145123
特開平3-024720
特開昭60-245778

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