特許
J-GLOBAL ID：200903091597254572
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
伊丹 勝
, 田村 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-103606
公開番号（公開出願番号）：特開2008-262623
出願日： 2007年04月11日
公開日（公表日）： 2008年10月30日
要約：
【課題】効率的な書き込み電圧設定を行う不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】書き込みテストシーケンスに係わるテスト回路は、各ページ書き込みのループ数をカウントする第1のカウンタと、選択された全ページ書き込みに要した累積ループ数をカウントする第2のカウンタと、累積ループ数を選択された全ページ数で除して、平均ループ数を求める除算器と、平均ループ数とその期待値との差分を求める加算器と、差分に基づいてセットされた書き込み電圧初期値の適否を判定する判定回路とを備える。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列されたメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの書き込みシーケンス制御を行う制御回路と、前記制御回路により実行される書き込みテストに係わるテスト回路とを有する不揮発性半導体記憶装置において、
書き込み電圧初期値をセットして、前記メモリセルアレイの複数ページについて各ページ書き込みがパスするまで書き込みテストを行い、全ページ書き込みに要した累積ループ数からページ書き込みの平均ループ数を求め、これを期待値と比較して前記書き込み電圧初期値の適否を判定する書き込みテストシーケンスを有し、
前記書き込みテストシーケンスに係わる前記テスト回路として、
各ページ書き込みのループ数をカウントする第1のカウンタと、
選択された全ページ書き込みに要した累積ループ数をカウントする第2のカウンタと、
前記累積ループ数を前記選択された全ページ数で除して、平均ループ数を求める除算器と、
前記平均ループ数とその期待値との差分を求める加算器と、
前記差分に基づいてセットされた前記書き込み電圧初期値の適否を判定する判定回路とを備えた
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 29/50
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, G11C 29/44
G11C29/00 673M
, G11C17/00 611E
, G11C17/00 601E
, G11C17/00 622E
, G11C29/00 655M
5B125BA01
, 5B125CA08
, 5B125DB02
, 5B125DB12
, 5B125DE07
, 5B125EA05
, 5B125EA10
, 5B125FA01
, 5L106AA10
, 5L106DD24
, 5L106DD25
