特許

J-GLOBAL ID：200903091608755528

二重誘電膜の構造を有した半導体素子のコンデンサ及びその製造方法

発明者： 李 起 正
出願人/特許権者： 株式会社ハイニックスセミコンダクター
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-379439
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318284
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：

【要約】【課題】 二重誘電体膜を利用して既存の誘電物質より大きい充電容量を得ることができる半導体素子のコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板21上に下部電極33を形成する段階と、前記下部電極上にAl2O3薄膜37aとTa2O5薄膜37bの二重誘電体膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極39を形成する段階とを含んで構成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に下部電極を形成する段階と、前記下部電極上にAl2O3薄膜とTa2O5薄膜の二重誘電膜で構成された誘電体膜を形成する段階と、前記誘電体膜上に上部電極を形成する段階とを含んで構成されることを特徴とする二重誘電膜の構造を有した半導体素子のコンデンサ製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/8242 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 21/316 M ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 C

Fターム (23件)：

5F058BA11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD05 ,  5F058BF04 ,  5F058BJ04 ,  5F083AD24 ,  5F083AD49 ,  5F083AD56 ,  5F083AD62 ,  5F083GA06 ,  5F083GA09 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083PR16 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体素子のキャパシタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-349650   出願人：エルジーセミコンカンパニーリミテッド