液状不純物源材料及びこれを使用した半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266193
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075893
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】液状不純物源を使用して高不純物濃度の拡散領域を形成することが困難であった。【解決手段】半導体基板1上に導電型決定用不純物と溶媒と増粘剤とを含有する不純物減溶液を塗布して液状不純物源層2を厚く形成し、これを乾燥させる。次に不純物の拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度の加熱によって不純物を半導体基板1に拡散する。

請求項（抜粋）：