特許

J-GLOBAL ID：200903091617369231

半導体製造装置

発明者： 福田 正直 ,  佐々木 隆史 ,  室林 正季
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (3件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-228880
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053504
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】パーティクルの発生を防止することができるようにする。【解決手段】半導体製造装置は、複数の基板を処理する処理容器と、前記処理容器内に収容されて前記複数の基板を多段に保持する基板保持具と、前記基板保持具の側面に設けられるプラズマ生成室17と、前記プラズマ生成室内に第一のガスを供給する第一のガス供給部と、前記基板保持具に保持される複数の基板の間に第二のガスを供給する第二のガス供給部と、前記処理容器の外に設けられ、前記プラズマ生成室17内に供給される前記第一のガスを誘導結合により励起してプラズマを生成する電極と、前記電極と前記プラズマ生成室17との間に接地して設けられたシールドと、前記プラズマ生成室17内に設けられ、該プラズマ生成室17内で生成されたプラズマのうちの電子を前記処理容器内の前記複数の基板の間に発射して、前記基板間に供給された前記第二のガスをプラズマ励起する電子供給装置とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の基板を処理する処理容器と、 前記処理容器内に収容されて前記複数の基板を多段に保持する基板保持具と、 前記基板保持具の側面に設けられるプラズマ生成室と、 前記プラズマ生成室内に第一のガスを供給する第一のガス供給部と、 前記基板保持具に保持される複数の基板の間に第二のガスを供給する第二のガス供給部と、 前記処理容器の外に設けられ、前記プラズマ生成室内に供給される前記第一のガスを誘導結合により励起してプラズマを生成する電極と、 前記電極と前記プラズマ生成室との間に接地して設けられたシールドと、 前記プラズマ生成室内に設けられ、該プラズマ生成室内で生成されたプラズマのうちの電子を前記処理容器内の前記複数の基板の間に発射して、前記基板間に供給された前記第二のガスをプラズマ励起する電子供給装置と を備えた半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/455

FI (4件)：

H01L21/205 ,  C23C16/509 ,  C23C16/452 ,  C23C16/455

Fターム (24件)：

4K030EA03 ,  4K030EA04 ,  4K030EA05 ,  4K030EA06 ,  4K030FA04 ,  4K030KA17 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB01 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC00 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AF01 ,  5F045BB01 ,  5F045BB08 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EC01 ,  5F045EH01

引用特許：

出願人引用 (2件)

• バッチ式リモートプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-127760   出願人：株式会社日立国際電気
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-141045   出願人：東京エレクトロン株式会社