特許

J-GLOBAL ID：200903091657871932

薄膜形成方法

発明者： 野田 和裕 ,  村上 雪雄 ,  ▲よし▼見 武 ,  西 憲一
出願人/特許権者： グンゼ株式会社
代理人 (1件)： 中島 司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149088
公開番号（公開出願番号）：特開平9-003623
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：

【要約】【目的】 ピンホールの発生を極力抑え、定量的生産管理を容易に行うことのできる薄膜形成方法を提供することを目的とする。【構成】 まずスパッタリング装置20にロールフィルム30及びターゲット物体を装着し、スパッタリング槽27内を真空にし、アルゴン封入する。ロールフィルム30を繰出しながら、スパッタリング部23で印加して、ブラッシングローラ25を回転してブラッシングしつつ、1回目のスパッタリングを行う。次に、巻取ローラ22に巻取られたフィルムを、フィルム繰出部21に巻戻しながら、ブラッシングローラ26でブラッシングしつつ2回目のスパッタリングを行う。2回目のスパッタリングを終えた後、再びフィルム繰出部21から繰出し、巻取ローラ22に巻取りながら、ブラッシングローラ25,26は用いず、3回目のスパッタリングを行う。

請求項（抜粋）：

基体上に金属又はその化合物の薄膜を形成する薄膜形成方法において、基体上に金属又はその化合物の薄層を形成する第1の薄層形成工程と、形成された薄層の表面を物理的手段でクリーニングするクリーニング工程と、クリーニングされた薄層上に、金属又はその化合物の薄層を形成する第2の薄層形成工程と、を備えることを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (6件)：

C23C 14/02 ,  C23C 14/22 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01B 13/00 503 ,  H05K 3/16

FI (6件)：

C23C 14/02 Z ,  C23C 14/22 Z ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01B 13/00 503 Z ,  H05K 3/16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-176246
  
• 特開平4-216621
  
• 薄膜製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-114630   出願人：帝人株式会社