特許
J-GLOBAL ID：200903091662419169
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003669
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195477
出願日： 1995年01月13日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：
【要約】【目的】ICの微細化のために半導体基板上の絶縁膜の膜厚を薄くした場合にも、絶縁膜上の電極へのサージ電圧印加により絶縁破壊が起きるのを防ぐ。【構成】電極の直下にそれより広い面積のPN接合をもつ一つのダイオード、もしくはPNPあるいはNPN構造で逆直列接続の二つのダイオードを形成し、サージ電圧が電極に印加されたとき、少なくとも一つのダイオードが逆バイアスされるようにしてサージ電圧印加時の電極、基板間の耐圧を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に絶縁膜を介して設けられた電極を有するものにおいて、絶縁膜の直下の半導体基板内に電極に対向する領域を包含する領域のPN接合を有するダイオードが形成され、前記電極にサージ電圧が印加されたときにこのダイオードが逆バイアスされることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 29/93
, H03K 17/08
