特許

J-GLOBAL ID：200903091665013732

受光素子、光モジュール、及び光伝送装置

発明者： 望月 理光 ,  小山 智子 ,  大西 一
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-383733
公開番号（公開出願番号）：特開2005-150291
出願日： 2003年11月13日
公開日（公表日）： 2005年06月09日
要約：

【課題】 比較的簡便な構造で受光感度を高めるとともに、高い応答速度を維持することができる受光素子を提供する。【解決手段】 基板10と、基板10上に配置され、低屈折率層24と高屈折率層22とが単位周期として交互に積層され、低屈折率層24及び高屈折率層22の少なくとも一方が半導体層からなる光吸収層である多層膜20と、多層膜20の内部に埋め込まれた部分を有し、当該部分が多層膜20内で対向する少なくとも1対の電極32,34と、を含む、MSM(Metal-Semiconductor-Metal)構造の受光素子である。多層膜20は、フォトニックバンドのバンド端に対応する波長帯と光吸収層の吸収波長帯の少なくとも一部とが重なるように形成され、光吸収層の吸収波長帯に属する所定波長の入射光Pinの群速度を遅延させる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に配置され、低屈折層と高屈折層とが単位周期として交互に積層され、前記低屈折率層及び前記高屈折率層の少なくとも一方が半導体からなる光吸収層である多層膜と、 前記多層膜の内部に埋め込まれた部分を有し、当該部分が前記多層膜内で対向する少なくとも1対の電極と、 を含む、MSM(Metal-Semiconductor-Metal)構造の受光素子であって、 前記多層膜は、フォトニックバンドのバンド端に対応する波長帯と前記光吸収層の吸収波長帯の少なくとも一部とが重なるように形成され、前記光吸収層の吸収波長帯に属する所定波長の入射光の群速度を遅延させる、受光素子。

IPC (1件)：

H01L31/108

FI (1件)：

H01L31/10 C

Fターム (10件)：

5F049MA05 ,  5F049MB03 ,  5F049MB07 ,  5F049NA03 ,  5F049NB01 ,  5F049QA07 ,  5F049QA20 ,  5F049SE09 ,  5F049SE11 ,  5F049SZ16

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 超格子受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-115940   出願人：光技術研究開発株式会社