超格子受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115940
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315637
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】比較的大面積の基板が容易に得られるInP結晶を基板として、1.7μm以上の波長を室温でも検出できる超格子受光素子を提供することにある。【構成】超光子受光素子1は、InPの基板2上に、Ga<SB>(1-y) </SB>In<SB>y </SB>As層(y>0.54)によるa層4と、Ga<SB>(1-x) </SB>In<SB>x </SB>As層(x<0.52)によるb層5とを交互に積層して超格子構造を形成し、この超格子構造を光吸収層3とすることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

InP基板上に、Ga<SB>(1-x) </SB>In<SB>x </SB>As層(x<0.52)とGa<SB>(1-y) </SB>In<SB>y </SB>As層(y>0.54)とを交互に積層して超格子構造を形成し、この超格子構造を光吸収層とすることを特徴とする超格子受光素子。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , H01L 21/20 , H01L 27/12 , H01L 31/108

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 31/10 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭59-074618
特開平4-106984
特開昭62-216378

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