特許
J-GLOBAL ID：200903091665570534

半導体レーザ

発明者：
室谷 義治

室谷 義治 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317268
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150324
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザの発振波長の温度依存性を低減させ、発振波長が温度変化に対して安定な半導体レーザを提供する。【解決手段】 分布反射型半導体レーザの活性領域の前後両側に等価屈折率の温度依存性が異なる分布反射器を形成し、この分布反射器にサンプル回折格子を形成する。この前後の光導波路の屈折率変化の温度勾配とサンプル回折格子のサンプル周期の逆比が一定となるようにして、前後の分布反射器でバーニア構造を構成する。
請求項（抜粋）：
ブラッグ反射器を有する半導体レーザにおいて、等価屈折率の温度依存性が異なる少なくとも二種類の光導波路と、前記光導波路に設けられた複数の波長を反射する回折格子構造を有することを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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